Aixtron und Ohio State University forschen gemeinsam an Galliumoxid für die Leistungselektronik
Klaus-Günter SölzerAixtron und Ohio State University forschen gemeinsam an Galliumoxid für die Leistungselektronik
Die Ohio State University (OSU) hat ein spezialisiertes System des Unternehmens Aixtron ausgewählt, um die Forschung an Galliumoxid voranzutreiben. Dieses Material gewinnt zunehmend an Bedeutung für die nächste Generation der Leistungselektronik. Der Schritt festigt Aixtrons Position bei der Entwicklung modernster Halbleitertechnologien.
Das Close Coupled Showerhead®-System (CCS) von Aixtron wird im Nanotech West Lab der OSU installiert, das zum Institute for Materials and Manufacturing Research gehört. Die Anlage ermöglicht das Wachstum hochwertiger Galliumoxid- (Ga₂O₃) und Aluminium-Galliumoxid-Schichten auf 100-Millimeter-Substraten. Ihr Design sorgt für gleichmäßige dünne Schichten, die für eine zuverlässige Halbleiterleistung entscheidend sind.
Galliumoxid gilt als überlegene Alternative zu herkömmlichen Materialien wie Siliziumkarbid oder Galliumnitrid. Es bewältigt höhere Spannungen und extreme Temperaturen effizienter und eignet sich daher ideal für fortschrittliche Leistungselektronik. Während viele Wettbewerber weiterhin auf etablierte Halbleiter setzen, dringt Aixtron bereits in dieses aufstrebende Feld vor.
Die Zusammenarbeit mit der OSU unterstreicht Aixtrons Ruf als führender Anbieter von Metallorganischer Chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD). Weitere renommierte Einrichtungen, die Galliumoxid erforschen, sind in Deutschland das Leibniz-Institut für Kristallzüchtung und das Fraunhofer-Institut, in den USA die University of North Texas sowie die Universität Lissabon. Auch Unternehmen wie das japanische Novel Crystal Technology leisten einen Beitrag, indem sie essenzielle Wafer für die Forschung bereitstellen.
Die Installation des Aixtron-Systems an der OSU markiert einen wichtigen Schritt in der Entwicklung von Galliumoxid. Dank der Fähigkeit, hochleistungsfähige dünne Schichten herzustellen, könnte die Technologie den Fortschritt in der Leistungselektronik beschleunigen. Weltweit investieren Forschungseinrichtungen und Ausrüstungslieferanten nun in dieses vielversprechende Material.
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